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BSD840N H6327 /MOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
BSD840N H6327的规格信息
BSD840N H6327的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:880 mA

Rds On-漏源导通电阻:270 mOhms, 270 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:260 pC, 260 pC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Dual

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.9 mm

长度:2 mm

系列:BSD840

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:1.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:2.5 S, 2.5 S

下降时间:900 ps, 900 ps

产品类型:MOSFET

上升时间:2.2 ns, 2.2 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:7.8 ns, 7.8 ns

典型接通延迟时间:1.9 ns, 1.9 ns

零件号别名:BSD840NH6327XTSA1 BSD84NH6327XT SP000917654

单位重量:7.500 mg

供应商BSD840N H6327
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深圳市辉华拓展电子有限公司BSD840N H6327深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市芯幂科技有限公司BSD840N H6327深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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集好芯城BSD840N H6327深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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